Устройство IGBT транзистора: Физика эпитаксиальных (PT) и гомогенных (NPT) слоев
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT — Insulated-Gate Bipolar Transistor) — это «рабочая лошадка» современной силовой электроники. Представьте себе гибрид, который взял лучшие качества от двух родителей: высокое входное сопротивление и простоту управления от полевого транзистора (MOSFET) и способность коммутировать огромные токи с малыми потерями от биполярного транзистора (BJT). Появившись в 1980-х годах, IGBT совершили … Читать далее
