Силовые биполярные транзисторы (BJT): устройство, физика работы и расчет параметров
Силовой биполярный транзистор (Bipolar Junction Transistor, BJT) — это полупроводниковый прибор, предназначенный для коммутации и усиления электрических сигналов большой мощности (большие токи и высокие напряжения). В отличие от маломощных аналогов, он имеет специальную многослойную структуру, позволяющую выдерживать колоссальные электрические нагрузки без пробоя. История биполярного транзистора началась в 1947 году в лабораториях Bell Labs, где физики … Читать далее
