Система единиц в электротехнике

Материал из справочника: Корякин-Черняк С.Л., Шустов М.А., Партала О.Н. "Электротехнический справочник"

Gemmho (англ.) — применяемая в прошлом дольная единица электрической проводимости, равная 10^–6 мо. 1 gemmho — это проводимость проводника сопротивлением 10⁶ Ом.

Абампер — единица тока в системе СГСМ (абсолютная электромагнитная система сантиметр-грамм-секунда). Другое название этой единицы — био. Единица названа так в честь французского физика, астронома  и математика Жана-Батиста Био. Один абампер равен 10 амперам. Абампер определяется как ток, создающий силу в 2 дины на сантиметр длины между двумя тонкими бесконечно длинными прямыми параллельными проводниками, расположенными на расстоянии в 1 см.

Абампер на дюйм (абА/дюйм) — единица линейной плотности тока в американской и английской традиционных системах мер.

Абампер на квадратный метр (А/м²) — единица поверхностной плотности тока в системе СГСМ (абсолютная электромагнитная система сантиметр-грамм-секунда).

Абампер на метр (абА/м) — единица линейной плотности тока в СГСМ (абсолютная электромагнитная система сантиметр-грамм-секунда).

Абампер на сантиметр (абА/м) — единица линейной плотности тока в СГСМ (абсолютная электромагнитная система сантиметр-граммсекунда).

Абвольт (абВ) — единица измерения электрического потенциала (напряжения), разности электрических потенциалов и электродвижущей силы (ЭДС) в СГСМ (абсолютной электромагнитной системе сантиметр-грамм-секунда). 1 абвольт равен 10^–8 В. При разности потенциалов в 1 абвольт через сопротивление 1 абом будет протекать ток силой 1 ампер. Для перемещения заряда величиной в 1 абкулон между двумя точками с разностью потенциалов 1 вольт требуется энергия в 1 эрг.

Абвольт на сантиметр (абВ/см) — единица напряженности электрического поля в системе СГСЭ (абсолютная электростатическая система сантиметр-грамм-секунда). Если между двумя бесконечными параллельными плоскостями, расположенными на расстоянии 1 см, приложено напряжение в 1 абВ, то между ними образуется электрическое поле напряженностью в 1 абВ/см. 1 абВ/см = 1 мкВ/м.

Абгенри — единица измерения индуктивности СГСМ (абсолютная электромагнитная система сантиметр-грамм-секунда), равная 10^–9 генри. Другое название этой единицы — единица индуктивности СГСМ.

Абкулон (синоним единица заряда СГСМ) — основная физическая единица электрического заряда в абсолютной электромагнитной системе СГСМ.

Абкулон на дюйм (абКл/дюйм) — производная единица линейной плотности заряда в американской и английской традиционных системах мер, определяемая как один абкулон электрического заряда на один дюйм длины. Один абкулон равен 10 кулонам.

Абкулон на кубический дюйм (абКл/дюйм³) — производная единица объемной плотности заряда в американской и английской традиционных системах мер, определяемая как один абкулон электрического заряда на один кубический дюйм объема. Один абкулон равен 10 кулонам.

Абкулон на квадратный дюйм (абКл/дюйм²) — производная единица поверхностной плотности заряда в американской и английской традиционных системах мер, определяемая как один абкулон электрического заряда на один квадратный дюйм поверхности.

Абкулон на квадратный метр (абКл/м²) — производная единица поверхностной плотности заряда в СГСМ (абсолютная электромагнитная система сантиметр-грамм-секунда), определяемая как один абкулон электрического заряда на один квадратный метр поверхности.

Абкулон на квадратный сантиметр (абКл/см²) — производная единица поверхностной плотности заряда в СГСМ (абсолютная электромагнитная система сантиметр-грамм-секунда), определяемая как один абкулон электрического заряда на один квадратный сантиметр поверхности.

Абкулон на метр (абКл/м) — производная единица линейной плотности заряда в СГСМ (абсолютная электромагнитная система сантиметрграмм-секунда), определяемая как один абкулон электрического заряда на один метр длины. Один абкулон равен 10 кулонам.

Абкулон на кубический метр (абКл/м³) — производная единица объемной плотности заряда в СГСМ (абсолютная электромагнитная система сантиметр-грамм-секунда), определяемая как один абкулон электрического заряда на один кубический метр объема. Один абкулон равен 10 кулонам.

Абкулон на сантиметр (абКл/см) — производная единица линейной плотности заряда в СГСМ (абсолютная электромагнитная система сантиметр-грамм-секунда), определяемая как один абкулон электрического заряда на один сантиметр длины. Один абкулон равен 10 кулонам.

Абкулон на кубический сантиметр (абКл/см³) — производная единица объемной плотности заряда в СГСМ (абсолютная электромагнитная система сантиметр-грамм-секунда), определяемая как один абкулон электрического заряда на один кубический сантиметр объема. Один абкулон равен 10 кулонам.

Абмо (аб℧) — единица электрической проводимости в системе СГСМ (электромагнитная сантиметр-грамм-секунда). 1 амбо = 1 ГСм = 1 нОм^–1. Альтернативное наименование этой единицы абсименс.

Абмо на метр (абмо/м) — единица удельной электрической проводимости в системе СГСМ (абсолютная электромагнитная система сантиметр-грамм-секунда). Абмо является величиной, обратной наноому. 1 абмо/м = 10⁹ См/м.

Абмо на сантиметр (абмо/см) — единица удельной электрической проводимости в системе СГСМ (абсолютная электромагнитная система сантиметр-грамм-секунда). Абмо является величиной, обратной наноому. 1 абмо/см = 10¹¹ См/м = 100 абмо/м.

Абом — основная единица электрического сопротивления в СГСМ (абсолютная электромагнитная система сантиметр-грамм-секунда). Если к двум точкам проводника приложена разность потенциалов один абвольт и его сопротивление равно одному абому, по нему будет протекать ток один абампер. 1 абОм = 10^–9 Ом = 1 наноОм в системе СИ. Абом — очень малая величина сопротивления. Поэтому данная единица используется крайне редко. Если речь идет об очень малых сопротивлениях материалов, обычно говорят об их проводимости.

Абом сантиметр (абОм·см) — единица удельного электрического сопротивления системы СГСМ (абсолютная электромагнитная система сантиметр-грамм-секунда). 1 абОм·см = 10^–11 Ом·м. Удельное сопротивление характеризует способность вещества проводить электрический

ток и не зависит от формы и размеров вещества. Физический смысл удельного сопротивления: материал имеет удельное сопротивление один абОм·см, если изготовленный из этого материала куб со стороной 1 сантиметр имеет сопротивление 1 абОм при измерении на противоположных гранях куба. В технике чаще применяется единица Ом·мм²/м. Удельное сопротивление однородного куска проводника длиной 1 метр и площадью токоведущего сечения 1 мм² равно 1 Ом·мм²/м, если его сопротивление равно 1 Ом. Удельное сопротивление серебра, которое является лучшим проводником, равно 1,6·10^–8 Ом·м. В то же время, удельное сопротивление фторопласта, который обладает хорошими диэлектрическими свойствами, равно 10²³ Ом·м.

Абфарад (абФ) — единица электрической емкости в СГСМ (абсолютная электромагнитная система сантиметр-грамм-секунда). Абфарад является очень большой единицей. 1 абФ = 10⁹ Ф = 1 ГФ и используется только в медицинской терминологии. Один абфарад равен емкости конденсатора, при которой заряд в один абкулон создает между его обкладками напряжение в один абвольт.

Ампер (А) — единица измерения силы электрического тока в системе СИ и одна из семи основных единиц СИ. Формальное определение ампера гласит: «Ампер есть сила неизменяющегося тока, который при прохождении по двум параллельным прямолинейным проводникам бесконечной длины и ничтожно малой площади кругового поперечного сечения, расположенным в вакууме на расстоянии 1 метр один от другого, вызвал бы на каждом участке проводника длиной 1 метр силу взаимодействия, равную 2·10^–7 ньютона». Также ампер можно определить через другие единицы СИ: сила тока в проводнике равна 1 амперу, если за одну секунду через поперечное сечение этого проводника проходит заряд, равный 1 кулону (6,241·10¹⁸ электронов).

Ампер на вольт (А/В) — производная единица СИ для измерения электрической проводимости и адмиттанса (полной комплексной проводимости), равная сименсу. Элемент имеет проводимость один сименс, если при увеличении разности потенциалов на выводах устройства на один вольт, протекающий через него электрический ток увеличивается на один ампер.

Ампер на дюйм (А/дюйм) — единица линейной плотности тока в американской и английской традиционных системах мер

Ампер на квадратный дюйм (А/дюйм²) — единица поверхностной плотности тока в американской и английской традиционных системах мер.

Ампер на квадратный метр (А/м²) — производная единица поверхностной плотности тока в системе СИ.

Ампер на квадратный мил (А/мил2) — единица поверхностной плотности тока в американской и английской традиционных системах мер.

Квадратный мил, квадратная тысячная — единица площади, используемая в Канаде и США для измерения поперечного сечения кабеля или провода, и равная площади квадрата со стороной в один мил. Мил (тысячная) равен 1/1000 дюйма. 1 кв. тысячная = π/4 круговых тысячных.

Ампер на квадратный сантиметр (А/см²) — единица поверхностной плотности тока, кратная производной единице в системе СИ ампер на метр.

Ампер на круговой мил (А/круговой мил) — единица поверхностной плотности тока в американской и английской традиционных системах мер. Круговой мил, круговая тысячная — единица площади, равная площади круга диаметром один мил (1/1000 дюйма). Круговой мил используется в электротехнике США и Канады для обозначения площади провода круглого сечения, так как площадь в круговых милах можно удобно рассчитать без использования числа пи (π).

Ампер на метр (А/м) — производная единица линейной плотности тока в системе СИ.

Ампер на сантиметр (А/см) — единица линейной плотности тока, кратная производной единице в системе СИ ампер на метр.

Ампер-час (А·ч) — внесистемная единица измерения электрического заряда. Один ампер-час равен 3600 кулонов (ампер-секунд). Физический смысл: 1 ампер-час — это электрический заряд, который проходит через поперечное сечение проводника в течение одного часа при наличии в нем тока в 1 ампер. Ампер-час используется главным образом для обозначения емкости аккумуляторов. Аккумулятор, заряженный до 1 А·ч, теоретически способен обеспечить ток в один ампер в течение одного часа.

Аттогенри (аГн) — единица индуктивности, дольная по отношению к производной единице измерения индуктивности в системе СИ генри. По определению, цепь имеет индуктивность один генри, если изменение тока со скоростью один ампер в секунду создает электродвижущую силу индукции, равную одному вольту. Генри можно выразить через другие единицы СИ: Гн = м²·кг/Кл² = В·с/А = Дж/А2 = Ом·с = Вб/А.

Аттофарад (мкФ) — производная единица измерения электрической емкости в СИ, дольная по отношению к фараду. Применяется очень редко. Один фарад равен емкости конденсатора, при которой заряд в один кулон создает между его обкладками напряжение в один вольт.

Био — единица тока в системе СГСМ (абсолютная электромагнитная система сантиметр-грамм-секунда), названная в честь французского физика, астронома и математика Жана-Батиста Био. Другое название этой единицы — абампер. Один абампер равен 10 амперам. Абампер определяется как ток, создающий силу в 2 дины на сантиметр длины

между двумя тонкими бесконечно длинными параллельными проводниками, расположенными на расстоянии в 1 см.

Ватт на ампер (Вт/А) равен вольту (В), который является единицей измерения и электродвижущей силы, электрической разности потенциалов и электрического потенциала (напряжения). Вольт — производная единица системы СИ. По определению, при разности потенциалов в один вольт протекающий по проводнику ток силой в один ампер рассеивает мощность в один ватт. Один вольт также представляет собой разность потенциалов между двумя параллельными бесконечными плоскостями, расположенными на расстоянии одного метра, которая создает электрическое поле напряженностью один ньютон на кулон. Один вольт можно также определить как разность потенциалов между двумя точками, при которой для перемещения между этими точками заряда в один кулон нужно совершить работу в один джоуль.

Вебер на ампер (Вб/А) — метрическая единица измерения индуктивности, равная генри. Генри можно выразить через другие единицы СИ: Гн = м²·кг/Кл² = В·с/А = Дж/А2 = Ом·с = Вб/А.

Вольт (В) — единица измерения и электродвижущей силы, электрической разности потенциалов и электрического потенциала (напряжения). Вольт является производной единицей системы СИ. По определению, при разности потенциалов в один вольт протекающий по проводнику ток силой в один ампер рассеивает мощность в один ватт. Один вольт также представляет собой разность потенциалов между двумя параллельными бесконечными плоскостями, расположенными на расстоянии одного метра, которая создает электрическое поле напряженностью один ньютон на кулон. Один вольт можно также определить как разность потенциалов между двумя точками, при которой для перемещения между этими точками заряда в один кулон нужно совершить работу в один джоуль.

Вольт на ампер (В/А) — производная единица СИ, равная ому по определению: Ом = В/А. Закон Ома гласит: «Сила тока в участке цепи прямо пропорциональна приложенному напряжению и обратно пропорциональна электрическому сопротивлению этого участка цепи». То есть, I = U/R, где U — разность потенциалов в вольтах, I — ток в амперах и R — сопротивление в омах. Отсюда следует, что 1 Ом = 1 В/А.

Вольт на дюйм (/дюйм) — внесистемная единица напряженности электрического поля. Если между двумя бесконечными параллельными плоскостями, расположенными на расстоянии 1 дюйм, приложено напряжение в 1 В, то между ними образуется электрическое поле напряженностью в 1 В/дюйм. 1 В/дюйм = 39,37 В/м.

Вольт на метр (В/м) — производная единица системы СИ для напряженности электрического поля. Если между двумя бесконечными

параллельными плоскостями, расположенными на расстоянии 1 м, приложено напряжение в 1 В, то между ними образуется электрическое поле напряженностью в 1 В/м. В основных единицах СИ 1 В/м эквивалентен одному метру в секунду в кубе на ампер (м·кг·с^–3·А^–1).

Вольт на сантиметр (В/см) — производная единица системы СИ для напряженности электрического поля, кратная В/м. Если между двумя бесконечными параллельными плоскостями, расположенными на расстоянии 1 см, приложено напряжение в 1 В, то между ними образуется электрическое поле напряженностью в 1 В/см. 1 В/см = 100 В/м.

Вольт на тысячную (В/тысячную) — внесистемная единица напряженности электрического поля. Если между двумя бесконечными параллельными плоскостями, расположенными на расстоянии 1 тысячная дюйма, приложено напряжение в 1 В, то между ними образуется электрическое поле напряженностью в 1 В/тысячную. 1 В/тысячную =

= 39370,1 В/м = 1000 В/дюйм.

Гектогенри (гГн) — единица индуктивности, кратная производной единице измерения индуктивности в системе СИ генри. По определению, цепь имеет индуктивность один генри, если изменение тока со скоростью один ампер в секунду создает электродвижущую силу индукции, равную одному вольту. Генри можно выразить через другие единицы СИ: Гн = м²·кг/Кл² = В·с/А = Дж/А2 = Ом·с = Вб/А.

Гектофарад (гФ) — производная единица измерения электрической емкости в СИ, кратная фараду. Один фарад равен емкости конденсатора, при которой заряд в один кулон создает между его обкладками напряжение в один вольт.

Генри (Гн) — производная единица измерения индуктивности в системе СИ. По определению, цепь имеет индуктивность один генри, если изменение тока со скоростью один ампер в секунду создает электродвижущую силу индукции, равную одному вольту. Генри можно выразить через другие единицы СИ: Гн = м²·кг/Кл² = В·с/А = Дж/А2 = Ом·с = Вб/А.

Гигагенри (ГГн) — единица индуктивности, кратная производной единице измерения индуктивности в системе СИ генри. По определению, цепь имеет индуктивность один генри, если изменение тока со скоростью один ампер в секунду создает электродвижущую силу индукции, равную одному вольту. Генри можно выразить через другие единицы СИ: Гн = м²·кг/Кл² = В·с/А = Дж/А2 = Ом·с = Вб/А.

Гигафарад (ГФ) — производная единица измерения электрической емкости в СИ, кратная фараду. Один фарад равен емкости конденсатора, при которой заряд в один кулон создает между его обкладками напряжение в один вольт.

Гильберт (Гб) — единица измерения магнитодвижущей силы в системе СГС. В СИ магнитодвижущая сила измеряется в амперах (ранее в

ампер-витках). Коэффициент перевода между единицами СИ и СГС равен 10/4π ≈ 0,795774715, соответственно 1 Гб/см = 79,577 А/м. Именно поэтому здесь упоминается Гб/см.

Декагенри (даГн) — единица индуктивности, кратная производной единице измерения индуктивности в системе СИ генри. По определению, цепь имеет индуктивность один генри, если изменение тока со скоростью один ампер в секунду создает электродвижущую силу индукции, равную одному вольту. Генри можно выразить через другие единицы СИ: Гн = м²·кг/Кл² = В·с/А = Дж/А2 = Ом·с = Вб/А.

Декафарад (даФ) — производная единица измерения электрической емкости в СИ, кратная фараду. Один фарад равен емкости конденсатора, при которой заряд в один кулон создает между его обкладками напряжение в один вольт.

Децигенри (дГн) — единица индуктивности, дольная по отношению к производной единице измерения индуктивности в системе СИ генри. По определению, цепь имеет индуктивность один генри, если изменение тока со скоростью один ампер в секунду создает электродвижущую силу индукции, равную одному вольту. Генри можно выразить через другие единицы СИ: Гн = м²·кг/Кл² = В·с/А = Дж/А2 = Ом·с = Вб/А.

Децифарад (дФ) — производная единица измерения электрической емкости в СИ, дольная по отношению к фараду. Один фарад равен емкости конденсатора, при которой заряд в один кулон создает между его обкладками напряжение в один вольт.

Единица емкости СГСМ — другое названии для абфарада, который является единицей электрической емкости в СГСМ (абсолютная электромагнитная система сантиметр-грамм-секунда). Абфарад — очень большая единица. 1 абФ = 10⁹ Ф = 1 ГФ и используется только в медицинской терминологии. Один абфарад равен емкости конденсатора, при которой заряд в один абкулон создает между его обкладками напряжение в один абвольт.

Единица емкости СГСЭ — другое название для статфарад — единицы электрической емкости в СГСЭ (абсолютная электростатическая система сантиметр-грамм-секунда). 1 единица емкости СГСЭ = 1,112 пФ. Одна Единица емкости СГСЭ равна емкости конденсатора, при которой заряд в один абкулон создает между его обкладками напряжение в один абвольт. По другому определению, статфарад — емкость шара радиусом 1 см в вакууме.

Единица заряда СГСМ (синоним абкулон) — основная физическая единица электрического заряда в абсолютной электромагнитной системе СГСМ.

Единица индуктивности СГСМ — единица измерения индуктивности СГСМ (абсолютная электромагнитная система сантиметрграмм-секунда), равная 10^–9 генри. Другое название этой единицы — абгенри.

Единица индуктивности СГСЭ — единица измерения индуктивности СГСЭ (абсолютная электростатическая система сантиметр-граммсекунда), равная 8,987552·10¹¹ генри. Другое название этой единицы — статгенри.

Единица сопротивления СГСМ — другое название абома, который является основной единицей электрического сопротивления в СГСМ (абсолютная электромагнитная система сантиметр-грамм-секунда). Если к двум точкам проводника приложена разность потенциалов один абвольт и его сопротивление равно одной единице сопротивления СГСМ, по нему будет протекать ток один абампер. 1 единица сопротивления СГСМ = 10^–9 Ом = 1 наноОм в системе СИ. Единица сопротивления СГСМ — очень малая величина сопротивления. Поэтому данная единица используется крайне редко. Если речь идет об очень малых сопротивлениях материалов, обычно говорят об их проводимости.

Единица сопротивления СГСЭ — другое название статома — основной единицы электрического сопротивления в СГСЭ (абсолютная электростатическая система сантиметр-грамм-секунда). Если к двум точкам проводника приложена разность потенциалов один статвольт и его сопротивление равно одной единице сопротивления СГСЭ, по нему будет протекать ток один статампер. 1 единица сопротивления СГСЭ

≈ 900 ГОм в системе СИ. Единица сопротивления СГСЭ — очень большая величина сопротивления. Поэтому данная единица используется крайне редко. На практике сопротивление измеряют в омах.

Единица тока СГСМ (абампер, био) — единица тока в системе СГСМ (абсолютная электромагнитная система сантиметр-грамм-секунда). Единица названа био в честь французского физика, астронома и математика Жана-Батиста Био. Один абампер равен 10 амперам. Абампер определяется как ток, создающий силу в 2 дины на сантиметр длины между двумя тонкими бесконечно длинными прямыми параллельными проводниками, расположенными на расстоянии в 1 см.

Единица тока СГСЭ, иначе называемая статампером — единица тока в системе СГСЭ (абсолютная электростатическая система сантиметрграмм-секунда). Статампер — это такая сила тока, при которой за одну секунду через поперечное сечение проводника происходит перемещение заряда в 1 статкулон.

Единица электрического потенциала СГСМ — другое название абвольта — единицы измерения электрического потенциала (напряжения), разности электрических потенциалов и электродвижущей силы (ЭДС) в СГСМ (абсолютной электромагнитной системе сантиметрграмм-секунда). 1 единица электрического потенциала СГСМ равна 10^–9 В. При разности потенциалов в 1 абвольт через сопротивление   1 абом будет протекать ток силой 2 ампер. Для перемещения заряда величиной в 1 абкулон между двумя точками с разностью потенциалов 1 вольт требуется энергия в 1 эрг.

Единица электрического потенциала СГСЭ — другое название статвольта — единицы измерения электрического потенциала (напряжения), разности электрических потенциалов и электродвижущей силы (ЭДС) в СГСЭ (абсолютной электростатической системе сантиметрграмм-секунда). 1 статвольт равен 299,79 В. При разности потенциалов в 1 единицу электрического потенциала СГСЭ через сопротивление 1 статом будет протекать ток силой 1 статампер. Статвольт — довольно большая единица, поэтому в электротехнике и электронике чаще используется единица системы СИ вольт.

Квантованная проводимость Холла — новый практический стандарт электрической проводимости, основанный на кванте электрического сопротивления (константе фон Клитцинга) RK = 25812,807557(18) Ом. Квантованная проводимость Холла = 1 / 25812,807557(18) Ом =

= 0,00003874 См.

Квантованное сопротивление Холла — новый практический стандарт электрического сопротивления, основанный на эффекте квантования холловского сопротивления или проводимости, которое наблюдается в МОП-транзисторах (англ. Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors ) в сильных магнитных полях и при низких температурах. Значение квантованного сопротивления Холла не зависит от качества и материала образца, поэтому для калибровки сопротивлений используется устройства на основе квантового эффекта Холла с фиксированным значением сопротивления, равным постоянной фон Клитцинга R_K = h/e2 = 25812,807557(18) Ом, где h — постоянная Планка и e — заряд электрона.

Киловольт на дюйм (кВ/дюйм) — внесистемная единица напряженности электрического поля. Если между двумя бесконечными параллельными плоскостями, расположенными на расстоянии 1 дюйм, приложено напряжение в 1 кВ, то между ними образуется электрическое поле напряженностью в 1 кВ/дюйм. 1 кВ/дюйм = 39370,1 В/м.

Киловольт на метр (кВ/м) — производная единица системы СИ для напряженности электрического поля, кратная В/м. Если между двумя бесконечными параллельными плоскостями, расположенными на расстоянии 1 м, приложено напряжение в 1 кВ, то между ними образуется электрическое поле напряженностью в 1 кВ/м. 1 кВ/м = 1000 В/м.

Киловольт на сантиметр (кВ/см) — производная единица системы СИ для напряженности электрического поля, кратная В/м. Если между двумя

бесконечными параллельными плоскостями, расположенными на расстоянии 1 см, приложено напряжение в 1 кВ, то между ними образуется электрическое поле напряженностью в 1 кВ/см. 1 кВ/см = 100 000 В/м.

Килогенри (кГн) — единица индуктивности, кратная производной единице измерения индуктивности в системе СИ генри. По определению, цепь имеет индуктивность один генри, если изменение тока со скоростью один ампер в секунду создает электродвижущую силу индукции, равную одному вольту. Генри можно выразить через другие единицы СИ: Гн = м²·кг/Кл² = В·с/А = Дж/А2 = Ом·с = Вб/А.

Килосименс (кСм) — единица измерения электрической проводимости и адмиттанса (полной комплексной проводимости), кратная сименсу. 1 кСм = 10³ См. Проводимость и адмиттанс — величины, обратные соответственно сопротивлению и импедансу, поэтому сименс — величина обратная ому.

Килофарад (кФ) — производная единица измерения электрической емкости в СИ, кратная фараду. Один фарад равен емкости конденсатора, при которой заряд в один кулон создает между его обкладками напряжение в один вольт.

Круговой мил Ом на фут — единица измерения удельного сопротивления в американской системе единиц. Называется также круговая тысячная Ом на фут. Удельное сопротивление однородного куска проводника длиной 1 фут и площадью токоведущего сечения 1 круговая тысячная дюйма (20 AWG или диаметр 0,8 мм) равно 1 круговой тысячной Ом на фут, если его сопротивление равно 1 Ом.

Кулон (Кл) — единица измерения электрического заряда (количества электричества) в Международной системе единиц (СИ). Кулон является производной единицей системы СИ. Кулон — это величина заряда, прошедшая через проводник при силе тока один ампер за одну секунду. Кулон можно определить и через емкость. Один кулон — это заряд на положительной обкладке конденсатора емкостью в одну фараду, заряженному до разности потенциалов один вольт.

Кулон на вольт (Кл/В) — производная единица измерения электрической емкости в СИ. По определению, 1 Ф = 1 Кл/В. Один фарад равен емкости конденсатора, при которой заряд в один кулон создает между его обкладками напряжение в один вольт.

Кулон на дюйм (Кл/дюйм) — единица линейной плотности заряда в американской и английской традиционных системах мер, определяемая как один кулон электрического заряда на один метр длины.

Кулон на кубический дюйм (Кл/дюйм³) — единица объемной плотности заряда в американской и английской традиционных системах мер, определяемая как один кулон электрического заряда на один кубический метр объема.

Кулон на квадратный дюйм (Кл/дюйм²) — единица поверхностной плотности заряда в американской и английской традиционных системах мер, определяемая как один кулон электрического заряда на один квадратный метр поверхности.

Кулон на квадратный метр (Кл/м²) — производная единица поверхностной плотности заряда в системе СИ, определяемая как один кулон электрического заряда на один квадратный метр поверхности.

Кулон на квадратный сантиметр (Кл/см²) — производная единица поверхностной плотности заряда в системе СИ, являющаяся дольной по отношению к кулону на метр, определяемому как один кулон электрического заряда на один квадратный метр поверхности.

Кулон на метр (Кл/м) — производная единица линейной плотности заряда в системе СИ, определяемая как один кулон электрического заряда на один метр длины.

Кулон на кубический метр (Кл/м³) — производная единица объемной плотности заряда в системе СИ, определяемая как один кулон электрического заряда на один кубический метр объема.

Кулон на сантиметр (Кл/см) — производная единица линейной плотности заряда в системе СИ, являющаяся дольной по отношению к кулону на метр, определяемому как один кулон электрического заряда на один метр длины.

Кулон на кубический сантиметр (Кл/см³) — производная единица объемной плотности заряда в системе СИ, являющаяся дольной по отношению к кулону на метр, определяемому как один кулон электрического заряда на один кубический метр объема.

Мегагенри (МГн) — единица индуктивности, кратная производной единице измерения индуктивности в системе СИ генри. По определению, цепь имеет индуктивность один генри, если изменение тока со скоростью один ампер в секунду создает электродвижущую силу индукции, равную одному вольту. Генри можно выразить через другие единицы СИ: Гн = м²·кг/Кл² = В·с/А = Дж/А2 = Ом·с = Вб/А.

Мегаом (МОм) — производная единица измерения электрического сопротивления в СИ, кратная ому. 1 МОм = 1 000 000 Ом. Мегаом равен электрическому сопротивлению проводника, по которому течет постоянный ток один микроампер, если между концами этого проводника приложено напряжение один вольт. Пассивные элементы электрических схем, оказывающие сопротивление протекающему току и обычно имеющие два вывода, называются резисторами. Для измерения сопротивления используется мультиметры, которые могут также измерять напряжение, ток, температуру, емкость и иные величины.

Мегасименс (МСм) — единица измерения электрической проводимости и адмиттанса (полной комплексной проводимости), кратная сименсу.

1 МСм = 10⁶ См. Проводимость и адмиттанс — величины, обратные соответственно сопротивлению и импедансу, поэтому сименс — величина обратная ому.

Мегафарад (МФ) — производная единица измерения электрической емкости в СИ, кратная фараду. Один фарад равен емкости конденсатора, при которой заряд в один кулон создает между его обкладками напряжение в один вольт.

Микровольт на метр (мкВ/м) — производная единица системы СИ для напряженности электрического поля, дольная по отношению к В/м. Если между двумя бесконечными параллельными плоскостями, расположенными на расстоянии 1 м, приложено напряжение в 1 мкВ, то между ними образуется электрическое поле  напряженностью в  1 мкВ/м. 1 мкВ/м = 0,000001 В/м.

Микрогенри (мкГн) — единица индуктивности, дольная по отношению к производной единице измерения индуктивности в системе СИ генри. По определению, цепь имеет индуктивность один генри, если изменение тока со скоростью один ампер в секунду создает электродвижущую силу индукции, равную одному вольту. Генри можно выразить через другие единицы СИ: Гн = м²·кг/Кл² = В·с/А = Дж/А2 = Ом·с = Вб/А.

Микромо (мк℧) — применяемая в прошлом дольная единица электрической проводимости мо, которое является альтернативным наименованием сименса и величиной, обратной ому. Мо являлось прочитанным справа налево словом «ом» и обозначалось перевернутой прописной греческой буквой омега (℧),1 мк℧ = 10^–6 ℧.

Микроом дюйм (мкОм·дюйм) — внесистемная единица удельного электрического сопротивления. 1 мкОм·дюйм = 2,54·10^–8 Ом·м. Удельное сопротивление характеризует способность вещества проводить электрический ток и не зависит от формы и размеров вещества. Физический смысл удельного сопротивления: материал имеет удельное сопротивление один мкОм·дюйм, если изготовленный из этого материала куб со стороной 1 дюйм имеет сопротивление 1 мкОм при измерении на противоположных гранях куба. В США в технике чаще применяется единица круговой мил Ом на фут. Удельное сопротивление однородного куска проводника длиной 1 фут и площадью токоведущего сечения 1 круговой мил (круговая тысячная дюйма, 20 AWG или диаметром 0,8 мм) равно 1 круговой тысячной Ом на фут, если его сопротивление равно 1 Ом. Удельное сопротивление серебра, которое является лучшим проводником, равно 1,6·10^–8 Ом·м. В то же время, удельное сопротивление фторопласта, который обладает хорошими диэлектрическими свойствами, равно 10²³ Ом·м.

Микроом сантиметр (мкОм·см) — производная дольная единица удельного электрического сопротивления системы СИ. 1 мкОм·см = 10^–8 Ом·м.

Удельное сопротивление характеризует способность вещества проводить электрический ток и не зависит от формы и размеров вещества. Физический смысл удельного сопротивления: материал имеет удельное сопротивление один мкОм·см, если изготовленный из этого материала куб со стороной 1 сантиметр имеет сопротивление 1 мкОм при измерении на противоположных гранях куба. В технике чаще применяется единица Ом·мм²/м. Удельное сопротивление однородного куска проводника длиной 1 метр и площадью токоведущего сечения 1 мм² равно 1 Ом·мм²/м, если его сопротивление равно 1 Ом. Удельное сопротивление серебра, которое является лучшим проводником, равно 1,6·10^–8 Ом·м. В то же время, удельное сопротивление фторопласта, который обладает хорошими диэлектрическими свойствами, равно 10²³ Ом·м.

Микросименс (мкСм) — единица измерения электрической проводимости и адмиттанса (полной комплексной проводимости), дольная по отношению к сименсу. 1 мСм = 10^–6 См. Проводимость и адмиттанс — величины, обратные соответственно сопротивлению и импедансу, поэтому сименс — величина обратная ому.

Микрофарад (мкФ) — производная единица измерения электрической емкости в СИ, дольная по отношению к фараду. Применяется очень часто. Один фарад равен емкости конденсатора, при которой заряд в один кулон создает между его обкладками напряжение в один вольт.

Милливольт на метр (мВ/м) — производная единица системы СИ для напряженности электрического поля, дольная по отношению к В/м. Если между двумя бесконечными параллельными плоскостями, расположенными на расстоянии 1 м, приложено напряжение в 1 мВ, то между ними образуется электрическое поле напряженностью в 1 мВ/м. 1 мВ/м = 0,001 В/м.

Миллигенри (мГн) — единица индуктивности, дольная по отношению к производной единице измерения индуктивности в системе СИ генри. По определению, цепь имеет индуктивность один генри, если изменение тока со скоростью один ампер в секунду создает электродвижущую силу индукции, равную одному вольту. Генри можно выразить через другие единицы СИ: Гн = м²·кг/Кл² = В·с/А = Дж/А2 = Ом·с = Вб/А.

Миллисименс (кСм) — единица измерения электрической проводимости и адмиттанса (полной комплексной проводимости), дольная по отношению к сименсу. 1 мСм = 10^–3 См. Проводимость и адмиттанс — величины, обратные соответственно сопротивлению и импедансу, поэтому сименс — величина обратная ому.

Миллифарад (мФ) — производная единица измерения электрической емкости в СИ, дольная по отношению к фараду. Один фарад равен емкости конденсатора, при которой заряд в один кулон создает между его обкладками напряжение в один вольт.

Миллифарад (мФ) — производная единица измерения электрической емкости в СИ, дольная по отношению к фараду. Один фарад равен емкости конденсатора, при которой заряд в один кулон создает между его обкладками напряжение в один вольт.

Мо на метр (мо/м) — старая единица удельной электрической проводимости. Мо является величиной, обратной ому. В конце семидесятых годов прошлого века в качестве единицы проводимости был введен сименс. 1 мо/м = 1 См/м.

Мо на сантиметр (мо/см) — старая единица удельной электрической проводимости. Мо является величиной, обратной ому. В конце семидесятых годов прошлого века в качестве единицы проводимости был введен сименс. 1 мо/см = 100 См/м.

Мо. Ранее в качестве альтернативного названия единицы проводимости в системе СИ сименса применялось название мо, которое является прочитанным справа налево словом «ом» и обозначается перевернутой прописной греческой буквой омега (℧). Мо является единицей, обратной ому.

Наногенри (нГн) — единица индуктивности, дольная по отношению к производной единице измерения индуктивности в системе СИ генри. По определению, цепь имеет индуктивность один генри, если изменение тока со скоростью один ампер в секунду создает электродвижущую силу индукции, равную одному вольту. Генри можно выразить через другие единицы СИ: Гн = м²·кг/Кл² = В·с/А = Дж/А2 = Ом·с = Вб/А.

Нанофарад (мкФ) — производная единица измерения электрической емкости в СИ, дольная по отношению к фараду. Применяется очень часто. Один фарад равен емкости конденсатора, при которой заряд в один кулон создает между его обкладками напряжение в один вольт.

Ньютон на кулон (Н/Кл) — производная единица системы СИ для напряженности электрического поля. Если между двумя бесконечными параллельными плоскостями, расположенными на расстоянии 1 м, приложено напряжение в 1 В, то между ними образуется электрическое поле напряженностью в 1 Н/Кл. В основных единицах СИ 1 Н/Кл эквивалентен одному метру в секунду в кубе на ампер (м·кг·с^–3·А^–1).

Ом (Ом) — производная единица измерения электрического сопротивления в СИ. Ом равен электрическому сопротивлению проводника, по которому течет постоянный ток один ампер, если между концами этого проводника приложено напряжение один вольт. Пассивные элементы электрических схем, оказывающие сопротивление протекающему току и обычно имеющие два вывода, называются резисторами. Для измерения сопротивления используется мультиметры, которые могут также измерять напряжение, ток, температуру, емкость и иные величины.

Ом дюйм (Ом·дюйм) — внесистемная единица удельного электрического сопротивления. 1 Ом·дюйм = 0,0254 Ом·м. Удельное сопротивление характеризует способность вещества проводить электрический ток и не зависит от формы и размеров вещества. Физический смысл удельного сопротивления: материал имеет удельное сопротивление один Ом·дюйм, если изготовленный из этого материала куб со стороной   1 дюйм имеет сопротивление 1 Ом при измерении на противоположных гранях куба. В США в технике чаще применяется единица круговая тысячная Ом на фут. Удельное сопротивление однородного куска проводника длиной 1 фут и площадью токоведущего сечения 1 круговая тысячная дюйма (20 AWG) равно 1 круговой тысячной Ом на фут, если его сопротивление равно 1 Ом. Удельное сопротивление серебра, которое является лучшим проводником, равно 1,6·10^–8 Ом·м. В то же время, удельное сопротивление фторопласта, который обладает хорошими диэлектрическими свойствами, равно 10²³ Ом·м.

Ом метр (Ом·м) — производная единица удельного электрического сопротивления системы СИ. Удельное сопротивление характеризует способность вещества проводить электрический ток и не зависит от формы и размеров вещества. Физический смысл удельного сопротивления: материал имеет удельное сопротивление один Ом·м, если изготовленный из этого материала куб со стороной 1 метр имеет сопротивление 1 Ом при измерении на противоположных гранях куба. В технике чаще применяется единица Ом·мм²/м. Удельное сопротивление однородного куска проводника длиной 1 метр и площадью токоведущего сечения 1 мм² равно 1 Ом·мм²/м, если его сопротивление равно 1 Ом. Удельное сопротивление серебра, которое является лучшим проводником, равно 1,6·10^–8 Ом·м. В то же время, удельное сопротивление фторопласта, обладающего хорошими диэлектрическими свойствами, равно 10²³ Ом·м.

Петагенри (ПГн) — единица индуктивности, кратная производной единице измерения индуктивности в системе СИ генри. По определению, цепь имеет индуктивность один генри, если изменение тока со скоростью один ампер в секунду создает электродвижущую силу индукции, равную одному вольту. Генри можно выразить через другие единицы СИ: Гн = м²·кг/Кл² = В·с/А = Дж/А2 = Ом·с = Вб/А.

Петафарад (ПФ) — производная единица измерения электрической емкости в СИ, кратная фараду. Один фарад равен емкости конденсатора, при которой заряд в один кулон создает между его обкладками напряжение в один вольт.

Пикогенри (Гн) — единица индуктивности, дольная по отношению к производной единице измерения индуктивности в системе СИ генри. По определению, цепь имеет индуктивность один генри, если изменение

тока со скоростью один ампер в секунду создает электродвижущую силу индукции, равную одному вольту. Генри можно выразить через другие единицы СИ: Гн = м²·кг/Кл² = В·с/А = Дж/А2 = Ом·с = Вб/А.

Пикосименс на метр (пСм/м) — десятичная дольная по отношению к См/м. 1 пСм/м = 10^–12 См/м. Удельную проводимость диэлектриков удобнее выражать в пикосименсах на метр. Например, удельная проводимость стекла находится в диапазоне от 10 до 0,001 пСм/м.

Пикофарад (пФ) — производная единица измерения электрической емкости в СИ, дольная по отношению к фараду. Применяется очень часто. Один фарад равен емкости конденсатора, при которой заряд в один кулон создает между его обкладками напряжение в один вольт.

Сантигенри (сГн) — единица индуктивности, дольная по отношению к производной единице измерения индуктивности в системе СИ генри. По определению, цепь имеет индуктивность один генри, если изменение тока со скоростью один ампер в секунду создает электродвижущую силу индукции, равную одному вольту. Генри можно выразить через другие единицы СИ: Гн = м²·кг/Кл² = В·с/А = Дж/А2 = Ом·с = Вб/А.

Сантифарад (сФ) — производная единица измерения электрической емкости в СИ, дольная по отношению к фараду. Один фарад равен емкости конденсатора, при которой заряд в один кулон создает между его обкладками напряжение в один вольт.

Сименс (См) — производная единица измерения электрической проводимости и адмиттанса (полной комплексной проводимости) в системе СИ. Проводимость и адмиттанс — величины, обратные соответственно сопротивлению и импедансу, поэтому сименс — величина обратная ому. Ранее в качестве единицы проводимости применялось название мо, которое является прочитанным справа налево словом «ом» и обозначается перевернутой прописной греческой буквой омега (℧). Элемент имеет проводимость один сименс, если протекающий через него электрический ток увеличивается на один ампер при увеличении разности потенциалов на выводах устройства на один вольт. 1/См = 1 Ом.

Сименс (См) — производная единица измерения электрической проводимости и адмиттанса (полной комплексной проводимости) в системе СИ. Проводимость и адмиттанс — величины, обратные соответственно сопротивлению и импедансу, поэтому сименс — величина обратная ому. Ранее в качестве единицы проводимости применялось название мо, которое является прочитанным справа налево словом «ом» и обозначается перевернутой прописной греческой буквой омега (℧). Элемент имеет проводимость один сименс, если протекающий через него электрический ток увеличивается на один ампер при увеличении разности потенциалов на выводах элемента на один вольт.

Сименс на метр (См/м) — единица удельной электрической проводимости в системе СИ. Примеры. Серебро — один из лучших проводников и имеет удельную проводимость 6,30·10⁷ См/м. Удельная проводимость таких диэлектриков, как полиэтилентерефталат (лавсан, ПЭТФ) и политетрафторэтилен (фторопласт, тефлон) находится в диапазоне от 10^–25 до 10^–21 См/м.

Статампер — единица тока в системе СГСЭ (абсолютная электростатическая система сантиметр-грамм-секунда). Статампер — это такая сила тока, при которой за одну секунду через поперечное сечение проводника происходит перемещение заряда в 1 статкулон.

Статвольт (статВ) — единица измерения электрического потенциала (напряжения), разности электрических потенциалов и электродвижущей силы (ЭДС) в СГСЭ (абсолютной электростатической системе сантиметр-грамм-секунда). 1 статвольт равен 299,79 В. При разности потенциалов в 1 статвольт через сопротивление 1 статом будет протекать ток силой 1 статампер. Статвольт — довольно большая единица, поэтому в электротехнике и электронике чаще используется единица системы СИ вольт.

Статвольт на дюйм (статВ/дюйм) — внесистемная единица напряженности электрического поля. Если между двумя бесконечными параллельными плоскостями, расположенными на расстоянии 1 дюйм, приложено напряжение в 1 статВ, то между ними образуется электрическое поле напряженностью в 1 статВ/дюйм. 1 статВ/дюйм = 11802,8 В/м.  1 статВ = 299,792 В.

Статвольт на сантиметр (статВ/см) — единица напряженности электрического поля в системе СГСЭ (абсолютная электростатическая система сантиметр-грамм-секунда). Если между двумя бесконечными параллельными плоскостями, расположенными на расстоянии 1 см, приложено напряжение в 1 статВ, то между ними образуется электрическое поле напряженностью в 1 статВ/см. 1 статВ/см = 29979,2 В/м = 1 Гс. 1 статВ = 299,792 В.

Статгенри — единица измерения индуктивности СГСЭ (абсолютная электростатическая система сантиметр-грамм-секунда), равная 8,987552·10¹¹ генри. Другое название этой единицы — единица индуктивности СГСЭ.

Статкулон (синонимы: франклин, единица заряда СГСЭ) — единица электрического заряда в СГСЭ (абсолютная электростатическая система сантиметр-грамм-секунда) и в гауссовой системе. Статкулон является производной единицей СГСЭ. По определению, два разноименных заряда по одному статкулону, находящихся в вакууме на расстоянии 1 см, будут притягиваться друг к другу с силой 1 дина.

Статмо (стат℧) — единица электрической проводимости в системе СГСЭ (абсолютная электростатическая система сантиметр-грамм-секунда). Представляет собой проводимость между двумя точками проводника, в котором при постоянной разности потенциалов в 1 статвольт возникает ток 1 статампер. 1 статмо приблизительно равно 1,113·10^–12 См. Альтернативное название этой единицы — статсименс (статСм).

Статмо на метр (статмо/м) — единица удельной электрической проводимости в системе СГСЭ (абсолютная электростатическая система сантиметр-грамм-секунда). Статмо (стат℧) — единица электрической проводимости в системе СГСЭ (абсолютная электростатическая система сантиметр-грамм-секунда). Представляет собой проводимость между двумя точками проводника, в котором при постоянной разности потенциалов в 1 статвольт возникает ток 1 статампер.  1 статмо/м приблизительно равно 1,113·10^–12 См/м.

Статмо на сантиметр (статмо/см) — единица удельной электрической проводимости в системе СГСЭ (абсолютная электростатическая система сантиметр-грамм-секунда). Статмо (стат℧) — единица электрической проводимости в системе СГСЭ. Представляет собой проводимость между двумя точками проводника, в котором при постоянной разности потенциалов в 1 статвольт возникает ток 1 статампер. 1 статмо/см приблизительно равно 1,113·10^–10 См/м.

Статом (статОм) — основная единица электрического сопротивления в СГСЭ (абсолютная электростатическая система сантиметр-граммсекунда). Если к двум точкам проводника приложена разность потенциалов один статвольт и его сопротивление равно одному статому, по нему будет протекать ток один статампер. 1 статОм ≈ 900 ГОм в системе СИ. Статом — очень большая величина сопротивления. Поэтому данная единица используется крайне редко. На практике сопротивление измеряют в омах.

Статом сантиметр (статОм·см) — единица удельного электрического сопротивления системы СГСЭ (абсолютная электростатическая система сантиметр-грамм-секунда). 1 абОм·см = 8,987 ГОм·м. Удельное сопротивление характеризует способность вещества проводить электрический ток и не зависит от формы и размеров вещества. Физический смысл удельного сопротивления: материал имеет удельное сопротивление один статОм·см, если изготовленный из этого материала куб со стороной 1 сантиметр имеет сопротивление  1 статОм при измерении на противоположных гранях куба. В технике чаще применяется единица Ом·мм²/м. Удельное сопротивление однородного куска проводника длиной 1 метр и площадью токоведущего сечения 1 мм² равно 1 Ом·мм²/м, если его сопротивление равно 1 Ом.

Удельное сопротивление серебра, которое является лучшим проводником, равно 1,6·10^–8 Ом·м. В то же время, удельное сопротивление фторопласта, который обладает хорошими диэлектрическими свойствами, равно 10²³ Ом·м.

Статфарад (статФ) — единица электрической емкости в СГСЭ (абсолютная электростатическая система сантиметр-грамм-секунда). 1 статФ

= 1,112 пФ. Один статфарад равен емкости конденсатора, при которой заряд в один абкулон создает между его обкладками напряжение в один абвольт. По другому определению, статфарад — емкость шара радиусом 1 см в вакууме.

Терагенри (ТГн) — единица индуктивности, кратная производной единице измерения индуктивности в системе СИ генри. По определению, цепь имеет индуктивность один генри, если изменение тока со скоростью один ампер в секунду создает электродвижущую силу индукции, равную одному вольту. Генри можно выразить через другие единицы СИ: Гн = м²·кг/Кл² = В·с/А = Дж/А2 = Ом·с = Вб/А.

Терафарад (ТФ) — производная единица измерения электрической емкости в СИ, кратная фараду. Один фарад равен емкости конденсатора, при которой заряд в один кулон создает между его обкладками напряжение в один вольт.

Фарад (Ф) — производная единица измерения электрической емкости в СИ. Один фарад равен емкости конденсатора, при которой заряд в один кулон создает между его обкладками напряжение в один вольт.

Фарадей (Ф) — внесистемная единица измерения электрического заряда, используемая в электрохимии. 1 фарадей соответствует заряду 1 моля электронов или однозарядных ионов. При пропускании через электролитическую ячейку заряда в 1 Ф на каждом электроде выделяется 1 моль однозарядных ионов. 1 фарадей = 96,48 килокулона.

Фемтогенри (фГн) — единица индуктивности, дольная по отношению к производной единице измерения индуктивности в системе СИ генри. По определению, цепь имеет индуктивность один генри, если изменение тока со скоростью один ампер в секунду создает электродвижущую силу индукции, равную одному вольту. Генри можно выразить через другие единицы СИ: Гн = м²·кг/Кл² = В·с/А = Дж/А2 = Ом·с =

= Вб/А.

Фемтофарад (мкФ) — производная единица измерения электрической емкости в СИ, дольная по отношению к фараду. Применяется редко. Один фарад равен емкости конденсатора, при которой заряд в один кулон создает между его обкладками напряжение в один вольт.

Эксагенри (ЭГн) — единица индуктивности, кратная производной единице измерения индуктивности в системе СИ генри. По определению,

цепь имеет индуктивность один генри, если изменение тока со скоростью один ампер в секунду создает электродвижущую силу индукции, равную одному вольту. Генри можно выразить через другие единицы СИ: Гн = м²·кг/Кл² = В·с/А = Дж/А2 = Ом·с = Вб/А.

Эксафарад (ЭФ) — производная единица измерения электрической емкости в СИ, кратная фараду. Один фарад равен емкости конденсатора, при которой заряд в один кулон создает между его обкладками напряжение в один вольт.

Электромагнитная единица тока СГСМ, называемая также абампер и био — единица тока в системе СГСМ (абсолютная электромагнитная система сантиметр-грамм-секунда). Единица названа био в честь французского физика, астронома и математика Жана-Батиста Био. Один абампер равен 10 амперам. Абампер определяется как ток, создающий силу в 2 дины на сантиметр длины между двумя тонкими бесконечно длинными прямыми параллельными проводниками, расположенными на расстоянии в 1 см.

Электростатическая единица тока СГСЭ, иначе называемая статампером — единица тока в системе СГСЭ (абсолютная электростатическая система сантиметр-грамм-секунда). Статампер — это такая сила тока, при которой за одну секунду через поперечное сечение проводника происходит перемещение заряда в 1 статкулон.

Элементарный электрический заряд (e) — минимальная порция (квант) электрического заряда, то есть, заряд, переносимый одним протоном или одним электроном. Этот заряд приблизительно равен 1,602 176 565·10⁻¹⁹ Кл в системе СИ (и 4,803·10⁻¹⁰ ед. СГСЭ в системе СГС).

Эрстед (Э) — единица измерения напряженности магнитного поля в системе СГС, которая связана с магнитодвижущей силой тока в витке. Связь эрстеда с другими единицами СИ: H(Э) = (1000/4π)· (I (А)/l(м)) =

= 79,577· I (А)/l(м). Иными словами, 1 Э = 79,577 А/м. Именно поэтому здесь упоминается эрстед.

1.2.   Основные соотношения единиц в электротехнике

примечание.

В таблицах этого раздела приведены приближенные (!!!) пересчеты электротехнических единиц, указывающих только на порядок отношения.

 

Таблица 1.5 Пересчет единиц электрического заряда

Единица

Кулон (кл)

Мегакулон (Мкл)

Килокулон (ккл)

Милликулон (мкл)

Микрокулон (мккл)

Канокулон (нкл)

Пикокулон (пкл)

Абкулон

Единица заряда сГсМ

Статкулон (esu)

сГсЭ-единица заряда (сГсЭ-единица заряда)

Франклин (фр)

Ампер-час (а·ч)

Ампер-минута (а·мин)

Ампер-секунда (а·с)

Фарадей (единица заряда)

Элементарный электрический заряд (e)

Кулон (кл)

1

10–6

10–3

103

106

109

1012

0,1

29,98·108

2,78·10–4

1,67·10–2

1

1,04·10–5

6,24·1018

Мегакулон (Мкл)

106

1

103

109

1012

1015

1018

105

29,98·1014

2,78·102

1,67·104

106

10,36

6,24·1024

Килокулон (ккл)

103

10–3

1

106

109

1012

1015

102

29,98·1011

2,78·10–1

16,67

103

1,04·10–2

6,24·1021

Милликулон (мкл)

10–3

10–9

10–6

1

103

106

109

10–4

29,98·105

2,78·10–7

1,67·10–5

10–3

1,04·10–8

6,24·1015

Микрокулон (мккл)

10–6

10–12

10–9

10–3

1

103

106

10–7

29,98·102

2,78·10–10

1,67·10–8

10–6

1,04·10–11

6,24·1012

Нанокулон (нкл)

10–9

10–15

10–12

10–6

10–3

1

103

10–10

29,98·10–1

2,78·10–13

1,67·10–11

10–9

1,04·10–14

6,24·109

Пикокулон (пкл)

10–12

10–18

10–15

10–9

10–6

10–3

1

10–13

29,98·10–4

2,78·10–16

1,67·10–14

10–12

1,04·10–17

6,24·106

Абкулон

10

10–5

10–2

104

107

1010

1013

1

29,98·109

2,78·10–3

1,67·10–14

10

1,04·10–4

6,24·1019

Единица заряда сГсМ

Статкулон (esu)

3,34·10–10

3,34·10–16

3,34·10–13

3,34·10–7

3,34·10–4

3,34·10–1

3,34·102

3,34·10–11

1

9,27·10–14

5,56·10–12

3,34·10–10

3,46·10–15

2,08·109

сГсЭ-единица заряда (сГсЭ-единица заряда)

Франклин (фр)

Ампер-час (а·ч)

3,6·103

3,6·10–3

3,6

3,6·106

3,6·109

3,6·1012

3,6·1015

360

1,08·1013

1

60

3600

3,73·10–2

2,25·1022

Ампер-минута (а·мин)

60

6·10–5

6·10–2

6·104

6·107

6·1010

6·1013

6

1,80·1011

1,67·10–2

1

60

6,21·10–4

3,74·1020

Ампер-секунда (а·с)

1

10–6

10–3

103

106

109

1012

0,1

3,00·109

2,78·10–4

1,67·10–2

1

1,04·10–5

6,24·1018

Фарадей (единица заряда)

9,65·104

9,65·10–2

96,49

9,65·107

9,65·1010

9,65·1013

9,65·1016

9,65·103

2,89·1014

26,8

1,61·103

9,65·104

1

6,02·1023

Элементарный электрический заряд (e)

1,60·10–19

1,60·10–25

1,60·10–22

1,60·10–16

1,60·10–13

1,60·10–10

1,60·10–7

1,60·10–20

4,80·10–10

4,45·10–23

2,67·10–21

1,60·10–19

1,66·10–24

1

 

Таблица 1.6 Пересчет единиц линейной плотности заряда

Единица	Кулон на метр (кл/м)	Кулон на сантиметр (кл/см)	Кулон на дюйм (кл/дюйм)	Абкулон на метр (абкл/м)	Абкулон на сантиметр (абкл/см)	Абкулон на дюйм (абкл/дюйм)
Кулон на метр (кл/м)	1	0,01	2,54·10–2	0,1	10–3	2,54·10–3
Кулон на сантиметр (кл/см)	102	1	2,54	10	0,1	2,54·10–1
Кулон на дюйм (кл/дюйм)	39,37	3,94·10–1	1	3,94	3,94·10–2	0,1
Абкулон на метр (абкл/м)	10	0,1	2,54·10–1	1	10–2	2,54·10–2
Абкулон на сантиметр (абкл/см)	103	10	25,4	102	1	2,54
Абкулон на дюйм (абкл/дюйм)	3,94·102	3,94	10	39,37	3,94·10–1	1

 

Таблица 1.7 Пересчет единиц поверхностной плотности заряда

Единица	Кулон на квадратный метр (кл/м2)	Кулон на квадратный сантиметр (кл/см2)	Кулон на квадратный дюйм (кл/дюйм2)	Абкулон на квадратный метр (абкл/м2)	Абкулон на квадратный сантиметр (абкл/см2)	Абкулон на квадратный дюйм (абкл/дюйм2)
Кулон на квадратный метр (кл/м2)	1	10–4	6,45·10–4	0,1	10–5	6,45·10–5
Кулон на квадратный сантиметр (кл/см2)	104	1	6,45	103	0,1	6,45·10–1
Кулон на квадратный дюйм (кл/дюйм2)	1,55·103	1,55·10–1	1	1,55·102	1,55·10–2	0,1
Абкулон на квадратный метр (абкл/м2)	10	10–3	6,45·10–3	1	10–4	6,45·10–4
Абкулон на квадратный сантиметр (абкл/см2)	105	10	64,52	104	1	6,4516
Абкулон на квадратный дюйм (абкл/дюйм2)	1,55·104	1,55	10	1,55·103	1,55·10–1	1

 

Таблица 1.8 Пересчет единиц объемной плотности заряда

Единица	Кулон на кубический метр (кл/м3)	Кулон на кубический сантиметр (кл/см3)	Кулон на кубический дюйм (кл/дюйм3)	Абкулон на кубический метр (абкл/м3)	Абкулон на кубический сантиметр (абкл/см3)	Абкулон на кубический дюйм (абкл/дюйм3)
Кулон на кубический метр (кл/м3)	1	10–6	1,64·10–5	0,1	10–6	1,64·10–6
Кулон на кубический сантиметр (кл/см3)	106	1	16,39	105	0,1	1,64
Кулон на кубический дюйм (кл/дюйм3)	6,10·104	6,10·102	1	6,10·103	6,10·10–3	0,1
Абкулон на кубический метр (абкл/м3)	10	10–5	1,64·10–4	1	106	1,64·10–5
Абкулон на кубический сантиметр (абкл/см3)	107	10	1,64·102	107	1	16,39
Абкулон на кубический дюйм (абкл/дюйм3)	6,10·105	6,10·10–1	10	6,10·104	6,10·10–2	1

 

Таблица 1.9 Пересчет единиц электрического тока

Единица	Ампер (а)	Килоампер (а)	Миллиампер (а)	Единица тока сГсМ, био, абампер	Единица тока сГсЭ, статампер
Ампер (а)	1	10–3	103	0,1	3,00·109
Килоампер (а)	103	1	106	100	3,00·1012
Миллиампер (а)	10–3	10–6	1	104	3,00·106
Единица тока сГсМ, био, абампер	10	0,01	104	1	3,00·1010
Единица тока сГсЭ, статампер	3,34·10–10	3,34·10–13	3,34·10–7	3,34·10–11	1

 

Таблица 1.10 Пересчет единиц линейной плотности тока

Единица	Ампер на метр (а/м)	Ампер на сантиметр (а/см)	Ампер на дюйм (а/дюйм)	Абампер на метр (аба/м)	Абампер на  сантиметр (аба/м)	Абампер на дюйм (аба/дюйм)	Эрстед (Э),гильберт (Гб)
Ампер на метр (а/м)	1	0,01	2,54·10–2	0,1	0,001	2,54·10–3	1,26·10–2
Ампер на сантиметр (а/см)	100	1	2,54	10	0,1	0,254	1,26
Ампер на дюйм (а/дюйм)	39,37	3,94·10–1	1	3,94	3,94·10–2	0,1	4,95·10–1
Абампер на метр (аба/м)	10	0,1	2,54·10–1	1	0,01	2,54·10–2	1,26·10–1
Абампер на сантиметр (аба/м)	1000	10	25,4	100	1	2,54	12,57
Абампер на дюйм (аба/дюйм)	3,94·102	3,94	10	39,37	3,94·10–1	1	4,95
Эрстед (Э), гильберт (Гб)	79,58	7,96·10–1	2,02	7,96	7,96·10–2	0,20	1

 

Таблица 1.11 Пересчет единиц поверхностной плотности тока

Единица	Ампер на квадратный метр (а/м2)	Ампер на квадратный сантиметр (а/см2)	Ампер на квадратный дюйм (а/дюйм2)	Ампер на квадратный мил (а/мил2)	Ампер на круговой мил (а/круговой мил)	Абампер на квадратный метр (а/м2)
Ампер на квадратный метр (а/м2)	1	10–4	6,45·10–4	6,45·10–10	5,07·10–10	10–5
Ампер на квадратный сантиметр (а/см2)	104	1	6,45	6,45·10–6	5,07·10–6	0,1
Ампер на квадратный дюйм (а/дюйм2)	1,55·103	1,55·10–1	1	10–6	7,85·10–7	1,55·10–2
Ампер на квадратный мил (а/мил2)	1,55·109	1,55·105	106	1	7,85·10–1	1,55·104
Ампер на круговой мил (а/круговой мил)	1,97·109	1,97·105	1,27·106	1,27	1	1,97·104
Абампер на квадратный метр (а/м2)	105	10	64,52	6,45·10–5	5,07·10–5	1

 

Таблица 1.12 Пересчет единиц электрического сопротивления

Единица	Ом (ом)	Вольт на ампер (в/а)	Обратный сименс (см)	Мегаом (Мом)	Микроом (мком)	Абом (абом)	Единица сопротивления сГсМ	Статом (статом)	Единица сопротивления сГсЭ	Квантованное сопротивление холла
Ом (ом)	1			10–6	106	109		1,11·10–12		3,88·10–5
Вольт на ампер (в/а)
Обратный сименс (см)
Мегаом (Мом)	106			1	1012	1015		1,11·10–6		38,74
Микроом (мком)	10–6			10–12	1	103		1,11·10–18		3,88·10–11
Абом (абом)	10–9			10–15	10–3	1		1,11·10–21		3,88·10–14
Единица сопротивления сГсМ
Статом (статом)	8,99·1011			8,99·105	8,99·1017	8,99·1020		1		3,48·107
Единица сопротивления сГсЭ
Квантованное сопротивление холла	2,58·104			2,58·10–2	2,58·1010	2,58·1013		2,9·10–8		1

 

Таблица 1.13 Пересчет единиц удельного электрического сопротивления

Единица	Ом метр (ом·м)	Ом метр (ом·см)	Ом дюйм (ом·дюйм)	Микроом сантиметр (мком·см)	Микроом дюйм (мком·дюйм)	Абом сантиметр (абом·см)	Статом сантиметр (статом·см)	круговой мил ом на фут
Ом метр (ом·м)	1	102	39,37	108	3,94·107	1011	1,11·10–10	6,02·10–8
Ом метр (ом·см)	10–2	1	3,94·10–1	106	3,94·105	109	1,11·10–12	6,02·10–6
Ом дюйм (ом·дюйм)	2,54·10–2	2,54	1	2,54·106	106	2,54·109	2,83·10–12	15,28·106
Микроом сантиметр (мком·см)	10–8	10–6	3,94·10–7	1	39,37·10–2	103	1,11·10–18	6,02
Микроом дюйм (мком·дюйм)	2,54·10–8	2,54·10–6	10–6	2,54	1	2,54·103	2,83·10–18	15,28
Абом сантиметр (абом·см)	10–11	10–9	3,94·10–10	10–3	39,37·10–5	1	1,11·10–21	6,02·10–3
Статом сантиметр (статом·см)	8,99·109	8,99·1011	3,54·1011	8,99·1017	3,54·1017	8,99·1020	1	5,41·1018
круговой мил ом на фут	2·10–9	1,66·10–7	6,55·10–8	0,17	6,55·10–2	166,24	1,85·10–19	1

 

Таблица 1.14 Пересчет единиц электростатического потенциала и напряжения

Единица	Вольт (в)	ватт на ампер (вт/а)	абвольт (абв)	Единица электрического потенциала сГсМ	статвольт (статв)	Единица электрического потенциала сГсЭ
Вольт (в)	1		108		3,34·10–3
Ватт на ампер (вт/а)
Абвольт (абв)	10–8		1		3,34·10–11
Единица электрического потенциала сГсМ
статвольт (статв)	299,79		29,98·109		1
Единица электрического потенциала сГсЭ

 

Таблица 1.15 Пересчет единиц электрической проводимости

Единица

Сименс (см)

Ампер на вольт (а/в)

Мо (℧)

Мегасименс (Мсм)

Килосименс (ксм)

Миллисименс (ксм)

Микросименс (мксм)

Gemmho

Микромо (мк℧)

абмо (аб℧)

статмо (стат℧)

квантованная проводимость холла

Сименс (см)

1

10–6

10–3

103

106

10–9

8,99·1011

2,58·104

Ампер на вольт (а/в)

Мо (℧)

Мегасименс (Мсм)

106

1

103

109

1012

10–3

8,99·1017

2,58·1010

килосименс (ксм)

103

10–3

1

106

109

10–6

8,99·1014

2,58·107

Миллисименс (ксм)

10–3

10–9

10–6

1

103

10–12

8,99·108

25,81

Микросименс (мксм)

10–6

10–12

10–9

10–3

1

10–15

8,99·105

2,58·10–2

Gemmho

Микромо (мк℧)

абмо (аб℧)

109

103

106

1012

1015

1

8,99·1020

2,58·1013

статмо (стат℧)

1,11·10–12

1,11·10–18

1,11·10–15

1,11·10– 10

1,11·10–6

1,11·10–21

1

2,87·10–8

квантованная проводимость холла

3,87·10–5

3,87·10–11

3,87·10–8

3,87·10–2

38,74

3,87·10–14

3,48·107

1

 

Таблица 1.16 Пересчет единиц удельной электрической проводимости

Единица	сименс на	Мо на метр (мо/м)	пикосименс на метр (псм/м)	Мо на сантиметр (мо/см)	абмо(абмо/м)	абмо на сантиметр (абмо/см)	статмо на метр	статмо на сантиметр (статмо/см)
сименс на метр (см/м)	1		1012	10–2	10–9	10–11	8,99·1011	8,99·109
Мо на метр (мо/м)
пикосименс на метр (псм/м)	10–12		1	10–14	10–21	10–23	8,99·10–1	8,99·10–3
Мо на сантиметр (мо/см)	102		1014	1	10–7	10–9	8,99·1013	8,99·1011
абмо на метр (абмо/м)	109		1021	107	1	10–2	8,99·1020	8,99·1018
абмо на сантиметр (абмо/см)	1011		1023	109	102	1	8,99·1022	8,99·1020
статмо на метр (статмо/м)	1,11·10–12		1,11	1,11·10–14	1,11·10–21	1,11·10–23	1	0,01
статмо на санти метр (статмо/см)	1,11·10–10		111,26	1,11·10–12	1,11·10–19	1,11·10–21	100	1

 

Таблица 1.17 Пересчет единиц напряженности электрического поля

Единица

Вольт на метр (в/м)

ньютон на кулон (н/кл)

киловольт на метр (кв/м)

киловольт на сантиметр (кв/см)

Вольт на сантиметр (в/см)

Милливольт на метр (мв/м)

Микровольт на метр (мкв/м)

абвольт на сантиметр (абв/см)

киловольт на дюйм (кв/дюйм)

Вольт на тысячную (в/тысячную)

Вольт на дюйм (в/дюйм)

статвольт на сантиметр (статв/см)

статвольт на дюйм (статв/дюйм)

Вольт на метр (в/м)

1

10–3

10–5

0,01

103

106

2,54·10–5

2,54·10–2

3,34·10–5

8,47·10–5

ньютон на кулон (н/кл)

киловольт на метр (кв/м)

103

1

0,01

10

106

109

2,54·10–2

25,4

0,034

8,47·10–2

киловольт на сантиметр (кв/см)

105

100

1

103

108

1011

2,54

2540

3,34

8,47

Вольт на сантиметр (в/см)

100

0,1

10–3

1

105

108

2,54·10–3

2,54

3,34·10–3

8,47·10–3

Милливольт на метр (мв/м)

10–3

10–6

10–8

10–5

1

103

2,54·10–8

2,54·10–5

3,34·10–8

8,47·10–8

Микровольт на метр (мкв/м)

10–6

10–9

10–11

10–8

10–3

1

2,54·10–11

2,54·10–8

3,34·10–11

8,47·10–11

абвольт на сантиметр (абв/см)

киловольт на дюйм (кв/дюйм)

3,94·104

39,37

3,94·10–1

3,94·102

3,94·107

3,94·1010

1

103

1,31

3,34

Вольт на тысячную (в/тысячную)

Вольт на дюйм (в/дюйм)

39,37

3,94·10–2

3,94·10–4

3,94·10–1

3,94·104

3,94·107

10–3

1

1,31·10–3

3,34·10–3

статвольт на сантиметр (статв/см)

29,98· 103

29,98

29,98· 10–2

299,79

29,98· 106

29,98· 1011

0,77

761,47

1

2,54

статвольт на дюйм (статв/дюйм)

11,80·103

11,80

11,80·10–2

118,03

11,80·106

11,80·1011

0,30

299,80

0,39

 

Таблица 1.18 Пересчет единиц электрической емкости

единица	фарад (ф)	кулон на вольт	Эксафарад (Эф)	петафарад (пф)	терафарад (тф)	Гигафарад (Гф)	абфарад (абф)	единица емкости	Мегафарад (Мф)	килофарад (кф)	Гектофарад (гф)	декафарад (даф)	децифарад (дф)	сантифарад (сф)	Миллифарад (мф)	Микрофарад (мкф)	нанофарад (мкф)	пикофарад (пф)	фемтофарад (мкф)	аттофарад (мкф)	статфарад	единица емкости
фарад (ф)	1		10–18	10–15	10–12	10–9			10–6	10–3	10–2	10–1	10	102	103	106	109	1012	1015	1018	1011
кулон на вольт (кл/в)
Эксафарад (Эф)	1018		1	103	106	109			1012	1015	1016	1017	1019	1020	1021	1024	1027	1030	1033	1036	8,99·1029
петафарад (пф)	1015		10–3	1	103	106			109	1012	1013	1014	1016	1017	1018	1021	1024	1027	1030	1033	8,99·1026
терафарад (тф)	1012		10–6	10–3	1	103			106	109	1010	1011	1013	1014	1015	1018	1021	1024	1027	1030	8,99·1023
Гигафарад (Гф)	109		10–9	10–6	10–3	1			103	106	107	108	1010	1011	1012	1015	1018	1021	1024	1027	8,99·1020
абфарад (абф)
единица емкости сГсМ
Мегафарад (Мф)	106		10–12	10–9	10–6	10–3			1	103	104	105	107	108	109	1012	1015	1018	1021	1024	8,99·1017
килофарад (кф)	103		10–15	10–12	10–9	10–6			10–3	1	10	102	104	105	106	109	1012	1015	1018	1021	8,99·1014
Гектофарад (гф)	102		10–16	10–13	10–10	10–7			10–4	10–1	1	10	103	104	105	108	1011	1014	1017	1020	8,99·1013
декафарад (даф)	10		10–17	10–14	10–11	10–8			10–5	10–2	10–1	1	102	103	104	107	1010	1013	1016	1019	8,99·1012
децифарад (дф)	10–1		10–19	10–16	10–13	10–10			10–7	10–4	10–3	10–2	1	10	102	105	108	1011	1014	1017	8,99·1010
сантифарад (сф)	10–2		10–20	10–17	10–14	10–11			10–8	10–5	10–4	10–3	10–1	1	10	104	107	1010	1013	1016	8,99·109
Миллифарад (мф)	10–3		10–21	10–18	10–15	10–12			10–9	10–6	10–5	10–4	10–2	10–1	1	103	106	109	1012	1015	8,99·108
Микрофарад (мкф)	10–6		10–24	10–21	10–18	10–15			10–12	10–9	10–8	10–7	10–5	10–4	10–3	1	103	106	109	1012	8,99·105
нанофарад (мкф)	10–9		10–27	10–24	10–21	10–18			10–15	10–12	10–11	10–10	10–8	10–7	10–6	10–3	1	103	106	109	8,99·102
пикофарад (пф)	10–12		10–30	10–27	10–24	10–21			10–18	10–15	10–14	10–13	10–11	10–10	10–9	10–6	10–3	1	103	106	8,99·10–1
фемтофарад (мкф)	10–15		10–33	10–30	10–27	10–24			10–21	10–18	10–17	10–16	10–14	10–13	10–12	10–9	10–6	10–3	1	103	8,99·10–4
аттофарад (мкф)	10–18		10–36	10–33	10–30	10–27			10–24	10–21	10–20	10–19	10–17	10–16	10–15	10–12	10–9	10–6	10–3	1	8,99·10–7
статфарад (статф)	1,11·10–12		1,11·10–30	1,11·10–27	1,11·10–24	1,11·10–21			1,11·10–18	1,11·10–15	1,11·10–14	1,11·10–13	1,11·10–11	1,11·10–10	1,11·10–9	1,11·10–6	1,11·10–3	1,11	1,11·103	1,11·106	1
единица емкости сГсЭ

 

Таблица 1.19 Пересчет единиц индуктивности

единица	Генри (Гн)	вебер на ампер	Эксагенри (ЭГн)	петагенри (пГн)	терагенри (тГн)	Гигагенри (ГГн)	Мегагенри (МГн)	килогенри (кГн)	Гектогенри (гГн)	декагенри (даГн)	децигенри (дГн)	сантигенри (сГн)	Миллигенри (мГн)	Микрогенри (мкГн)	наногенри (нГн)	абгенри	единица сГсМ	пикогенри (Гн)	фемтогенри (фГн)	аттогенри (аГн)	статгенри	единица сГсЭ
Генри (Гн)	1		10–18	10–15	10–12	10–9	10–6	10–3	10–2	10–1	10	102	103	106	109			1012	1015	1018	1,11·10–12
вебер на ампер (вб/а)
Эксагенри (ЭГн)	1018		1	103	106	109	1012	1015	1016	1017	1019	1020	1021	1024	1027			1030	1033	1036	1,11·106
петагенри (пГн)	1015		10–3	1	103	106	109	1012	1013	1014	1016	1017	1018	1021	1024			1027	1030	1033	1,11·103
терагенри (тГн)	1012		10–6	10–3	1	103	106	109	1010	1011	1013	1014	1015	1018	1021			1024	1027	1030	1,11
Гигагенри (ГГн)	109		10–9	10–6	10–3	1	103	106	107	108	1010	1011	1012	1015	1018			1021	1024	1027	1,11·10–3
Мегагенри (МГн)	106		10–12	10–9	10–6	10–3	1	103	104	105	107	108	109	1012	1015			1018	1021	1024	1,11·10–6
килогенри (кГн)	103		10–15	10–12	10–9	10–6	10–3	1	10	102	104	105	106	109	1012			1015	1018	1021	1,11·10–9
Гектогенри (гГн)	102		10–16	10–13	10–10	10–7	10–4	10–1	1	10	103	104	105	108	1011			1014	1017	1020	1,11·10–10
декагенри (даГн)	10		10–17	10–14	10–11	10–8	10–5	10–2	10–1	1	102	103	104	107	1010			1013	1016	1019	1,11·10–11
децигенри (дГн)	10–1		10–19	10–16	10–13	10–10	10–7	10–4	10–3	10–2	1	10	102	105	108			1011	1014	1017	1,11·10–13
сантигенри (сГн)	10–2		10–20	10–17	10–14	10–11	10–8	10–5	10–4	10–3	10–1	1	10	104	107			1010	1013	1016	1,11·10–14
Миллигенри (мГн)	10–3		10–21	10–18	10–15	10–12	10–9	10–6	10–5	10–4	10–2	10–1	1	103	106			109	1012	1015	1,11·10–15
Микрогенри (мкГн)	10–6		10–24	10–21	10–18	10–15	10–12	10–9	10–8	10–7	10–5	10–4	10–3	1	103			106	109	1012	1,11·10–18
наногенри (нГн)	10–9		10–27	10–24	10–21	10–18	10–15	10–12	10–11	10–10	10–8	10–7	10–6	10–3	1			103	106	109	1,11·10–21
абгенри
единица индуктивности сГсМ
пикогенри (Гн)	10–12		10–30	10–27	10–24	10–21	10–18	10–15	10–14	10–13	10–11	10–10	10–9	10–6	10–3			1	103	106	1,11·10–24
фемтогенри (фГн)	10–15		10–33	10–30	10–27	10–24	10–21	10–18	10–17	10–16	10–14	10–13	10–12	10–9	10–6			10–3	1	103	1,11·10–27
аттогенри (аГн)	10–18		10–36	10–33	10–30	10–27	10–24	10–21	10–20	10–19	10–17	10–16	10–15	10–12	10–9			10–6	10–3	1	1,11·10–30
статгенри	8,99·1011		8,99·10–7	8,99·10–4	8,99·10–1	8,99·102	8,99·105	8,99·108	8,99·109	8,99·1010	8,99·1012	8,99·1013	8,99·1014	8,99·1017	8,99·1020			8,99·1023	8,99·1026	8,99·1029	1
единица индуктивности сГсЭ