Базой светодиода для видимого спектра электромагнитного излучения служит полупроводниковый чип размерами обычно от 300x300 микрометров до 1x1 миллиметров, полученный современными эпитаксиальными методами роста для соединений элементов III группы таблицы Менделеева с азотом, например, нитрида галлия (GaN). При протекании электрического тока такой чип излучает электромагнитные волны, соответствующие синему цвету спектра, за счет межзонных переходов электронов внутри активного слоя толщиной менее 10 нанометров, называемого квантовой ямой. Синий цвет может быть преобразован в видимый белый цвет, если на поверхность светодиодного чипа GaN нанести люминофоры.
На сегодняшний день светодиоды на основе нитрида галлия позволяют получать коэффициент полезного действия (КПД) при переводе электрической мощности в оптическую до 40%, существенно опережая все существующие технологии получения белого света. Ближайшая цель – достижение 60% КПД.
Известно, что освещение потребляет порядка 19% от всей производимой в мире электроэнергии. При переводе всего мирового освещения на светодиодное (с уровнем технологии на сегодняшний день) экономия составит более 100 миллиардов долларов США в год. Это соответствует уменьшению потребления нефти на 1.5 миллиарда баррелей, что в свою очередь позволит уменьшить выброс углекислого газа в атмосферу на 600 миллионов тонн в год.
Помимо более высоких значений КПД по отношению к энергосберегающим флуоресцентным лампам, которые содержат ртуть, светодиодная продукция не является токсичной и не содержит никаких вредных веществ. Кроме того срок службы светодиодов не зависит от количества включений и выключений, что позволяет создавать интеллектуальные системы освещения.