Молниезащита
Низковольтная техника - Электроустановочные изделия
Продам
Куплю
14:28  09.08.12   |  Продам   |   -  |   Просмотров: 454
Название:

Диодный мост SKCH28/12 SEMIKRON

Позиции:
Позиции:Краткое описание, характеристики:Кол-во:Цена, стоимость:


 SKCH28/12

30A,800V
14
1700
Фото: Диодный мост SKCH28/12  SEMIKRON
Производитель: Semikron
Описание ,
характеристики,
параметры:
Пик повторяющегося напряжения в закрытом состоянии, Vdrm: 1200
Пусковой ток Макс, IGT: 100 мА
Диапазон рабочей температуры: от -40 ° C до +125 ° C
Внешняя глубина: 32 мм
Внешняя длина / высота: 25.3mm
Внешняя ширина: 63 мм
Крепление центров: 48 мм
Крепление Диаметр отверстия: 5.3mm
Напряжение изоляции: 2500 В
Модуль конфигурации: Однофазный мостовой выпрямитель + защитный диод
Выходной ток: 30A
Упаковка / блок: 1 Semipont
Pin конфигурации: G25
Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Max: 1200
Прекращение Тип: Винтовые
Тиристор Тип: Тиристорный / диодный модуль
Компания:
ИП Каталог ИПШ
ИП Каталог ИПШ
Регион: Россия, Москва и Московская обл., Москва
 
Продам (1173)  |  
Контактное лицо:
Шибакин Владимир Васильевич
Телефон: +7(499)4092940
Email: Написать письмо
Другие заявки: Продам (1173)
Другие заявки из раздела:
Микросхема 	 SKYPER 32 R SEMIKRON
Микросхема SKYPER 32 R SEMIKRON
SKYPER 32 R:
Драйвер SKYPER знаменует собой новую концепцию в разработке устройств управления изолированным затвором MOSFET/IGBT. SKYPER является «ядром», основой для пост- роения серии драйверов широкого применения. Он содержит набор базовых функций и блоков, необходимых
Силовые модули SKIIP SEMIKRON
Силовые модули SKIIP SEMIKRON
SKIIP39ANB16V1:157A 1200V
Одной из основных тенденций современной электроники вообще и силовой электроники в частности является увеличение степени интеграции, объединение на одном кристалле или в одном корпусе максимального количества компонентов для полного решения какой-либо
Силовые модули SKIIP SEMIKRON
Силовые модули SKIIP SEMIKRON
SKIIP27AC065V1:66A 600V
Одной из основных тенденций современной электроники вообще и силовой электроники в частности является увеличение степени интеграции, объединение на одном кристалле или в одном корпусе максимального количества компонентов для полного решения какой-либо